MgF_2薄膜器件的结构、导电和发光

首页 > 按月查看>1994年第3月 >

MgF_2薄膜器件的结构、导电和发光
DOI:
                        
作者:
                        
作者单位:
作者简介:
通讯作者:
基金项目:国家自然科学基金资助课题

Structure,Current Transport and Light Emission of the MgF2 Thin-film Devices

Author:

Affiliation:

Fund Project:

摘要

图/表

访问统计

参考文献

相似文献

引证文献

资源附件

摘要:

通过蒸镀ＭｇＦ２薄膜制作了一种可均匀发射可见光的新型金属一绝缘体一金属结型发光器件。论证了它的内层结构、导电机理及其发光的物理图象：Ｓｃｈｏｔｔｋｙ热电子在Ａｕ－真空界面激发表面等离极化激元（ＳＰＰ）；Ａｕ－真空界面的ＳＰＰ通过表面粗糙度与外光子耦合。这一图象与该器件的电流－电压（Ｉ－Ｖ）、电流－温度（Ｉ－Ｔ）关系及其发射光谱的主要特征一致。

Abstract:

A new type of high bias metal-insulator-metal light-emitting junctions [Al-Al2O3-MgF2-Au(Cu)] ,which emit visible optical radiation through MgF2 thin-film devices was made,Thehighest applied bias that the light-emitting devices can stand,and the output of

参考文献

相似文献

引证文献

引用本文

江孟蜀. MgF_2薄膜器件的结构、导电和发光[J].重庆工商大学学报（自然科学版）,1994,(3):
Jiang Mengshu. Structure, Current Transport and Light Emission of the MgF2 Thin-film Devices[J]. Journal of Chongqing Technology and Business University(Natural Science Edition）,1994,(3):

复制

文章指标

点击次数:
下载次数:

历史

收稿日期:
最后修改日期:
录用日期:
在线发布日期:

引用本文

分享

文章指标

历史