在2HDM模型下γγ→t-bH-过程的散射截面的树图级计算

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在2HDM模型下γγ→t-bH-过程的散射截面的树图级计算
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The calculation of the tree- level cross section of the process: γγ→t-bH- in 2HDM

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带电Higgs粒子在2HDM模型中具有不同于标准模型的显著特征，寻找带电Higgs粒子是验证2HDM模型的一个非常重要方面。计算了两个光子的碰撞过程γγ→tbH^-的最低阶(树图级)的散射截面，讨论了散射截面与模型参数tan β和带电Higgs粒子的质量之间的关系。计算结果表明：当模型参数tan β在5～40时，散射界面的数量级可达10^-2pb；而带电Higgs粒子的质量大致在100～400GeV。

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陈刚.在2HDM模型下γγ→t-bH-过程的散射截面的树图级计算[J].重庆工商大学学报（自然科学版）,2005,(3):
. The calculation of the tree- level cross section of the process: γγ→t-bH- in 2HDM[J]. Journal of Chongqing Technology and Business University(Natural Science Edition）,2005,(3):

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