在2HDM模型下γγ→t<img src="image/050301.gif" width="11" height="28" alt="050301.gif (224 bytes)">H-过程的散射截面的树图级计算

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在2HDM模型下γγ→tH-过程的散射截面的树图级计算
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The calculation of the tree- level cross section of the process:

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带电Higgs粒子在2HDM模型中具有不同于标准模型的显著特征,寻找带电Higgs粒子是验证2HDM模型的一个非常重要方面.计算了两个光子的碰撞过程γγ→t-bH-的最低阶(树图级)的散射截面,讨论了散射截面与模型参数tanβ和带电Higgs粒子的质量之间的关系.计算结果表明当模型参数tanβ在5～40时,散射界面的数量级可达10-2pb;而带电Higgs粒子的质量大致在100～400GeV.

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.在2HDM模型下γγ→t "050301. H-过程的散射截面的树图级计算[J].重庆工商大学学报（自然科学版）,2005,(3):
. The calculation of the tree- level cross section of the process:[J]. Journal of Chongqing Technology and Business University(Natural Science Edition）,2005,(3):

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