重庆工商大学学报（自然科学版）

引用本文:	陈刚.在2HDM模型下γγ→t-bH-过程的散射截面的树图级计算(J/M/D/N,J:杂志，M：书，D：论文，N：报纸).期刊名称,2005，（3）：
	CHEN X. Adap tive slidingmode contr ol for discrete2ti me multi2inputmulti2 out put systems[ J ]. Aut omatica, 2006, 42(6): 4272-435

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在2HDM模型下γγ→t-bH-过程的散射截面的树图级计算
陈刚

作者

单位

摘要:

带电Higgs粒子在2HDM模型中具有不同于标准模型的显著特征，寻找带电Higgs粒子是验证2HDM模型的一个非常重要方面。计算了两个光子的碰撞过程γγ→tbH^-的最低阶(树图级)的散射截面，讨论了散射截面与模型参数tan β和带电Higgs粒子的质量之间的关系。计算结果表明：当模型参数tan β在5～40时，散射界面的数量级可达10^-2pb；而带电Higgs粒子的质量大致在100～400GeV。

关键词: 散射截面 Higgs粒子树图模型参数标准模型碰撞过程计算结果 tan 带电数量级质量光子

DOI：

分类号:O561.5 O572.2

基金项目:

The calculation of the tree- level cross section of the process: γγ→t-bH- in 2HDM

Abstract:

Key words:

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